| 标题 |
High-Threshold-Stability GeSe-Based Selector-Only Memory Enabled by Gallium Doping |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Yaru Zhang; Jinyu Wen; Chuanqi Yi; Lun Wang; Zixuan Liu; et al 出版日期:2025-08-15 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)