Enhanced Synaptic Memory Window and Linearity in Planar In2Se3 Ferroelectric Junctions

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标题	Enhanced Synaptic Memory Window and Linearity in Planar In2Se3 Ferroelectric Junctions 相关领域神经形态工程学材料科学记忆电阻器铁电性光电子学突触重量突触电压纳米技术计算机科学电气工程人工神经网络神经科学人工智能电介质生物工程类
网址	https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/adm...
DOI	10.1002/adma.202413178 doi
其它	期刊：Advanced Materials 作者：Yu‐Rim Jeon; Dongyoon Kim; Chandan Biswas; Nicholas D Ignacio; Patrick Carmichael; et al 出版日期：2024-12-21
求助人	Wonder罗在 2026-04-23 18:34:24 发布自江苏，悬赏 10 积分
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