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Lateral Implanted RESURF GaN MOSFETs with BV up to 2.5 kV |
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期刊:2008 20th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's 作者:W. Huang; T.P. Chow; Y. Niiyama; T. Nomura; S. Yoshida 出版日期:2008-06-11 |
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