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 Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge Trapping Memory in Pulse and DC Modes 55纳米氧化硅-氮氧化物-氧化硅电荷俘获存储器在脉冲和直流模式下的总电离剂量效应
相关领域
材料科学
俘获
光电子学
硅
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氧化硅
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期刊：Chinese Physics Letters 作者：Mei Li; Jinshun Bi; Yannan Xu; Bo Li; Kai Xi; et al 出版日期：2018-07-01 |
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