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标题
Homoepitaxial Si-doped Gallium Oxide films by MOCVD with tunable electron concentrations and electrical properties
具有可调电子浓度和电学性质的MOCVD同质外延掺硅氧化镓薄膜
相关领域
材料科学 金属有机气相外延 兴奋剂 光电子学 化学气相沉积 外延 镓 Crystal（编程语言） 二极管 分析化学（期刊） 纳米技术 化学 图层（电子） 色谱法 计算机科学 冶金 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2023.111902
DOI
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AI识别 10.1016/j.vacuum.2023.111902 doi
求助人
意兴不阑珊 在 2025-06-26 19:23:04 发布自浙江，悬赏 10 积分
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