| 标题 |
Origin of large dark current increase in InGaAs/InP avalanche photodiode 相关领域
雪崩光电二极管
暗电流
光电子学
存水弯(水管)
雪崩二极管
材料科学
击穿电压
光电二极管
雪崩击穿
电流(流体)
量子隧道
电压
光学
光电探测器
物理
探测器
热力学
量子力学
气象学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of Applied Physics 作者:J. Wen; Wenjuan Wang; X. R. Chen; Nan Li; X. S. Chen; et al 出版日期:2017-11-17 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人或该文件上传人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)