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Novel channel-last integration of ALD MoS2 into stacked channel FETs on 300mm wafers |
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期刊:2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:S. Barraud; M. Rodriguez-Fano; J.M. Pedini; S. Cadot; R. Chouk; et al 出版日期:2025 |
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(2025-6-4)