Band alignment between GeTe and SiO2/metals for characterization of junctions in nonvolatile resistance change elements

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标题	Band alignment between GeTe and SiO2/metals for characterization of junctions in nonvolatile resistance change elements
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/1.35990...
DOI	10.1063/1.3599057 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：E. K. Chua; L. P. Shi; M. H. Li; R. Zhao; T. C. Chong; et al 出版日期：2011-06-09
求助人	上课杠九八在 2026-06-08 13:43:16 发布自上海，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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