Spatially-discriminating trap characterization methods for HEMTs and their application to RF-stressed AlGaN/GaN HEMTs

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标题	Spatially-discriminating trap characterization methods for HEMTs and their application to RF-stressed AlGaN/GaN HEMTs
网址	https://doi.org/10.1109/IEDM.2010.5703396
DOI	10.1109/IEDM.2010.5703396 doi
其它	期刊：2010 International Electron Devices Meeting 作者：A. R. Arehart; A. Sasikumar; G. D. Via; B. Winningham; B. Poling; et al 出版日期：2010
求助人	829302yft 在 2026-03-17 18:45:06 发布自上海，悬赏 10 积分
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