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 High-resolution X-ray photoelectron spectroscopy and characteristic electron-energy loss spectroscopy of the electronic structure of phosphorus-implanted silicon and quantum dots of silicon dioxide with silicon impurities |
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期刊：Journal of Communications Technology and Electronics 作者：O. K. Kuvandikov; E. U. Arzikulov; A. I. Kovalev; D. I. Tetel’baum 出版日期：2007-10-04 |
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