| 标题 |
 2D Modeling of the Annealing Process After Ion Implantation in n-on-p HgCdTe n-on-p HgCdTe离子注入后退火过程的二维模拟
相关领域
退火（玻璃）
空位缺陷
材料科学
扩散方程
离子注入
制作
扩散过程
离子
消灭
凝聚态物理
光电子学
化学
物理
冶金
计算机科学
核物理学
医学
知识管理
经济
替代医学
有机化学
创新扩散
病理
经济
服务（商务）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Zhikai Gan; Yu Zhao; Chun Lin; Qiannan Sun; S. Kevin Zhou; et al 出版日期：2023-02-06 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
方非笑
gjww
benben
敬老院1号
shinysparrow
个性的紫菜
张泽崇
寻寻觅觅呢
CharlotteBlue
SOLOMON
llllliuuu
寻道图强
maox1aoxin
centlay
友好冷之
凤凰
倩迷谜
newfat
紫金大萝卜
pcr163
皖公网安备34019202002308
