Influence of pulsed laser deposited hafnium oxide thin film as gate dielectric on the fabrication of Al0.1Ga0.9N/GaN MOS-HEMT

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标题	Influence of pulsed laser deposited hafnium oxide thin film as gate dielectric on the fabrication of Al0.1Ga0.9N/GaN MOS-HEMT 脉冲激光沉积氧化铪薄膜作为栅介质对Al0.1 Ga 0.9 N/GaN MOS-HEMT制备的影响相关领域材料科学光电子学制作铪电介质高电子迁移率晶体管栅极电介质脉冲激光沉积氧化物薄膜纳米技术晶体管电气工程冶金电压病理工程类替代医学锆医学
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.107136
DOI	10.1016/j.mssp.2022.107136 doi
其它	期刊：Materials science in semiconductor processing 作者：Gunjan Yadav; Kajal Jindal; Monika Tomar 出版日期：2023-01-01
求助人	jackie 在 2024-04-05 23:33:14 发布自广西，悬赏 10 积分
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