Influence of pulsed laser deposited hafnium oxide thin film as gate dielectric on the fabrication of Al0.1Ga0.9N/GaN MOS-HEMT

材料科学 光电子学 制作 电介质 高电子迁移率晶体管 栅极电介质 脉冲激光沉积 氧化物 薄膜 纳米技术 晶体管 电气工程 冶金 电压 病理 工程类 替代医学 医学
作者
Gunjan Yadav,Kajal Jindal,Monika Tomar
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier]
卷期号:153: 107136-107136 被引量:2
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2022.107136
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