标题 |
Enhanced Reliability of In–Ga–ZnO Thin-Film Transistors Through Design of Dual Passivation Layers
采用双钝化层设计提高In-Ga-ZnO薄膜晶体管的可靠性
相关领域
钝化
薄膜晶体管
材料科学
物理
光电子学
纳米技术
图层(电子)
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网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Ablat Abliz; Da Wan; Jui-Yuan Chen; Lei Xu; Jia He; et al 出版日期:2018-07-01 |
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