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A 2-kV high-voltage GaN HEMT on sapphire substrate with floating field plate technique and bonding pad over active region |
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期刊:Chinese Physics B 作者:Mou-Fu 谋夫 Kong 孔; Yao-Wen 耀文 Zhang 张; Ning 宁 Yu 于; Ying-Zhi 英芝 Luo 罗; Kang-Xiang 康翔 Zhao 赵; et al 出版日期:2026-09-01 |
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(2025-6-4)