Sub-0.5 nm Equivalent Oxide Thickness Scaling for Si-Doped Zr1–xHfxO2 Thin Film without Using Noble Metal Electrode

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标题	Sub-0.5 nm Equivalent Oxide Thickness Scaling for Si-Doped Zr1–xHfxO2 Thin Film without Using Noble Metal Electrode
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.5b04303
DOI	10.1021/acsami.5b04303 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Ji‐Hoon Ahn; Se‐Hun Kwon 出版日期：2015-06-30
求助人	sai 在 2026-08-07 20:21:19 发布自上海，悬赏 10 积分
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