InGaAs/InAlAs avalanche photodiodes with a high responsivity and multiplication factor using carbon-doped p-InAlAs as the charge layer

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标题	InGaAs/InAlAs avalanche photodiodes with a high responsivity and multiplication factor using carbon-doped p-InAlAs as the charge layer
网址	https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2024.109248
DOI	10.1016/j.mtcomm.2024.109248 doi
其它	期刊：Materials today communications 作者：Chengyu Li; Shiyu Qiu; Xindong Ruan; Chao Liu; Qijin Cheng 出版日期：2024-05-14
求助人	QT 在 2026-08-03 17:35:40 发布自江苏，悬赏 10 积分
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