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  Oxygen vacancy-controlled forming-free bipolar resistive switching in Er-doped ZnO memristor 掺铒ZnO忆阻器中氧空位控制的无形成双极电阻开关
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期刊：Applied surface science advances 作者：Akendra Singh Chabungbam; Dong‐Eun Kim; Yue Wang; Kyung-Mun Kang; Minjae Kim; et al 出版日期：2024-12-13 |
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