Impact of three-dimensional current flow on accurate TCAD simulation for trench-gate IGBTs

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标题	Impact of three-dimensional current flow on accurate TCAD simulation for trench-gate IGBTs
网址	https://doi.org/10.1109/ISPSD.2019.8757640
DOI	10.1109/ISPSD.2019.8757640 doi
其它	期刊：2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者：Masahiro Watanabe; Naoyuki Shigyo; Takuya Hoshii; Kazuyoshi Furukawa; Kuniyuki Kakushima; et al 出版日期：2019
求助人	胡泳旭在 2026-01-20 19:38:07 发布自广西，悬赏 10 积分
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