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Study of leakage current degradation based on stacking faults expansion in irradiated SiC junction barrier Schottky diodes 辐照SiC结势垒肖特基二极管中基于层错扩展的漏电流衰减研究
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期刊:Chinese Physics B 作者:Maojiu 茂久 Luo 罗; Yourun 有润 Zhang 张; Yucheng 煜丞 Wang 王; Hang 航 Chen 陈; Rong 嵘 Zhou 周; et al 出版日期:2024-07-12 |
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