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Gate Switching Instability in Silicon Carbide MOSFETs—Part I: Experimental
碳化硅MOSFET的栅极开关不稳定性。第一部分：实验
相关领域
碳化硅 材料科学 MOSFET 光电子学 不稳定性 工程物理 电气工程 工程类 物理 冶金 晶体管 机械 电压
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2024.3397636
DOI
10.1109/ted.2024.3397636 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Maximilian W. Feil; Katja Waschneck; H. Reisinger; Judith Berens; Thomas Aichinger; et al
出版日期：2024-05-16
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隐形 在 2025-12-06 14:46:05 发布自安徽，悬赏 10 积分
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