Gate Switching Instability in Silicon Carbide MOSFETs—Part I: Experimental

碳化硅 材料科学 MOSFET 光电子学 不稳定性 工程物理 电气工程 工程类 物理 冶金 晶体管 机械 电压
作者
Maximilian W. Feil,Katja Waschneck,H. Reisinger,Judith Berens,Thomas Aichinger,Sven Prigann,Gregor Pobegen,Paul Salmen,Gerald Rescher,Dominic Waldhoer,Александр Николаевич Васильев,Wolfgang Gustin,Michael Waltl,Tibor Grasser
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:71 (7): 4210-4217 被引量:17
标识
DOI:10.1109/ted.2024.3397636

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