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[高分]
A novel inductively coupled RLC damping scheme for eliminating switching oscillations of SiC MOSFET 消除SiC MOSFET开关振荡的电感耦合RLC阻尼新方案
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期刊:IET Power Electronics 作者:Jiawen Li; Xin Yang; Mengwei Xu; Xiaodi Wang; Ke Heng 出版日期:2023-03-25 |
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