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标题
Interface charge engineering on an in situ SiNx/AlGaN/GaN platform for normally off GaN MIS-HEMTs with improved breakdown performance
具有改进击穿性能的常关GaN MIS-HEMT原位SiNx/AlGaN/GaN平台上的界面电荷工程
相关领域
材料科学 光电子学 钝化 高电子迁移率晶体管 晶体管 宽禁带半导体 原子层沉积 电介质 击穿电压 半导体 带材弯曲 电压 绝缘体（电） 图层（电子） 电气工程 纳米技术 工程类
网址
https://doi.org/10.1063/5.0169944
DOI
10.1063/5.0169944 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Jiaqi He; Kangyao Wen; Peiran Wang; Minghao He; Fangzhou Du; et al
出版日期：2023-09-04
求助人
wjr 在 2025-12-05 16:13:47 发布自宁夏，悬赏 10 积分
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