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Electronic Properties of Si and C Substitutional Defects and Porosity in C‐Rich and Si‐Rich Hydrogenated Roundish SiC Quantum Dots: An Ab‐Initio Study 富碳和富硅氢化圆形SiC量子点中Si和C取代缺陷和孔隙率的电子性质:从头计算研究
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期刊:Advanced Theory and Simulations 作者:J.L. Cuevas; Saravana Prakash Thirumuruganandham; D. J. Mowbray; Alejandro Trejo; F. A. Serrano; et al 出版日期:2024-08-17 |
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