Ultrathin sub-5 nm gate-all-around SiGe nanowire transistors with near-ideal subthreshold swing

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标题	Ultrathin sub-5 nm gate-all-around SiGe nanowire transistors with near-ideal subthreshold swing 具有接近理想亚阈值摆幅的超薄亚5 nm全栅极SiGe纳米线晶体管
网址	https://doi.org/10.1039/D5TC03710G
DOI	10.1039/D5TC03710G doi
其它	期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Guowei Zhang; Yuang Guan; Yee Sin Ang; Shibo Fang; Xiaoyi Lei; et al 出版日期：2026
求助人	123 在 2025-12-18 19:37:45 发布自陕西，悬赏 10 积分
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