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Enhanced SnO2 FETs via selective area fluorine doping 选择性区域氟掺杂增强SnO2场效应晶体管
相关领域
材料科学
兴奋剂
氟
纳米技术
光电子学
工程物理
冶金
工程类
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| 其它 |
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing 作者:Seon-Chang Kim; Huiseung Kim; Suhyeon Park; Dawon Lee; Roy B. Chung 出版日期:2025-03-01 |
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