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 Recess-free thin-barrier AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with ultra-low leakage current: Experiment and simulation study 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Jianxun Dai; Huimin Yu; Huolin Huang; Taisen Ye; Yun Lei; et al 出版日期：2024-05-13 |
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