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![]() 利用栅极重叠技术抑制带隙和栅极电介质的双极性设计新型Si0.2Ge 0.8/GaAs JLTFET
相关领域
材料科学
双极扩散
栅极电介质
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期刊:Silicon 作者:Kaushal Kumar; Ajay Kumar; Vinay Kumar; Aditya Jain; S. C. Sharma 出版日期:2023-08-18 |
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monicaj
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