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 Ambipolarity Suppression of Band Gap and Gate Dielectric Engineered Novel Si0.2Ge0.8/GaAs JLTFET Using Gate Overlap Technique 利用栅极重叠技术抑制带隙和栅极电介质的双极性设计新型Si0.2Ge 0.8/GaAs JLTFET
相关领域
材料科学
双极扩散
栅极电介质
光电子学
电介质
线性
晶体管
带隙
离子
电气工程
电压
等离子体
物理
量子力学
工程类
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期刊：Silicon 作者：Kaushal Kumar; Ajay Kumar; Vinay Kumar; Aditya Jain; S. C. Sharma 出版日期：2023-08-18 |
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