| 标题 |
 Chip‐Scale Graphene/IGZO Cold Source FET Array Enabling Sub‐60 mV dec−1 Super‐Steep Subthreshold Swing 芯片级石墨烯/IGZR冷源场效应晶体管阵列实现亚60 mA dec-1超陡亚阈值摆幅
相关领域
材料科学
石墨烯
光电子学
晶体管
场效应晶体管
半导体
阈下传导
纳米技术
电气工程
电压
工程类
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| DOI | |
| 其它 |
期刊：Advanced Materials 作者：Se‐Young Oh; Ojun Kwon; Jongwon Yoon; Eunjeong Cho; Min Jeong Kim; et al 出版日期：2025-09-02 |
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