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 Degradation Characteristics of n- and p-Channel Polycrystalline-Silicon TFTs Under CMOS Inverter Operation CMOS反相操作下n沟道和p沟道多晶硅薄膜晶体管的退化特性
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
逆变器
光电子学
多晶硅
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yoshiaki Toyota; M. Matsumura; Mutsuko Hatano; T. Shiba; M. Ohkura 出版日期：2010-01-12 |
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