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 Role of Fin Shape on Drain Current of SiO2/HfO2 Based Trigate FinFET Including Quantum Mechanical Effect 鳍片形状对SiO2/HfO2基三栅FinFET漏极电流的影响
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期刊：Silicon 作者：Suparna Panchanan; Reshmi Maity; Achinta Baidya; N. P. Maity 出版日期：2023-01-26 |
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