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标题
Characterization of Nonvolatile Switches Based on 2-D Multilayered hBN Memristors for High-Frequency Applications
基于二维多层hBN忆阻器的高频非易失性开关的表征
相关领域
记忆电阻器 表征(材料科学) 非易失性存储器 材料科学 光电子学 纳米技术 电子工程 工程类
网址
DOI
10.1109/lmwt.2025.3576996 doi
求助人
大头老婆 在 2025-08-31 22:36:45 发布自广东,悬赏 10 积分
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