Characterization of Nonvolatile Switches Based on 2-D Multilayered hBN Memristors for High-Frequency Applications

记忆电阻器 表征(材料科学) 非易失性存储器 材料科学 光电子学 纳米技术 电子工程 工程类
作者
Jordi Verdú,Tobías Amarilla,Yaqing Shen,Sebastián Pazos,Mario Lanza,Pedro de Paco
标识
DOI:10.1109/lmwt.2025.3576996
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