Deposition behavior of hexamethydisiloxane films based on the FTIR analysis of Si–O–Si and Si–CH3 bonds

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标题	Deposition behavior of hexamethydisiloxane films based on the FTIR analysis of Si–O–Si and Si–CH3 bonds 基于Si-O-Si和Si-CH3键的FTIR分析六甲基二硅氧烷薄膜的沉积行为相关领域六甲基二硅氧烷等离子体聚合聚合分析化学（期刊）化学傅里叶变换红外光谱单体离解（化学）化学键等离子体增强化学气相沉积等离子体物理化学硅聚合物有机化学化学工程工程类物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1016/s0040-6090(97)00683-4
DOI	10.1016/s0040-6090(97)00683-4 doi
其它	期刊：Thin Solid Films 作者：Min Tae Kim 出版日期：1997-12-01
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