| 标题 |
 Superior Performances of Dynamic On-State Resistance in 1.9kV GaN-on-Sapphire HEMT 1.9 kV GaN-on-Sapphire HEMT的动态导通电阻性能
相关领域
高电子迁移率晶体管
蓝宝石
材料科学
光电子学
击穿电压
氮化镓
宽禁带半导体
基质（水族馆）
硅
电压
蓝宝石上的硅
电子工程
晶体管
电气工程
图层（电子）
纳米技术
绝缘体上的硅
工程类
光学
激光器
海洋学
物理
地质学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：2021 IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications (ICTA) 作者：Weihao Lu; Sheng Li; Siyang Liu; Yanfeng Ma; Long Zhang; et al 出版日期：2023-10-27 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
herococa
Kuga
HEIKU
aldehyde
自信幻灵
eric888
OCDer
不瞌睡
孙燕
MchemG
YifanWang
科研01
Capybara
27小天使
从容芮
sissiarno
深海鱼油DHA
jianxiu
ephore
领导范儿
皖公网安备34019202002308
