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标题
Degradation of dielectric breakdown field of thermal SiO2 films due to structural defects in Czochralski silicon substrates
直拉硅衬底结构缺陷对热SiO2薄膜介电击穿场的退化
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网址
https://doi.org/10.1063/1.362344
DOI
10.1063/1.362344 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Y. Satoh; T. Shiota; Yoshio Murakami; Takayuki Shingyouji; Hidemine Furuya
出版日期：1996-05-15
求助人
车车 在 2025-05-31 10:40:55 发布自陕西，悬赏 10 积分
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