Study of Silicon Nitride Inner Spacer Formation in Process of Gate-all-around Nano-Transistors

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标题	Study of Silicon Nitride Inner Spacer Formation in Process of Gate-all-around Nano-Transistors
网址	https://www.mdpi.com/2079-4991/10/4/793/pdf?version=15879532...
DOI	10.3390/nano10040793 doi
其它	期刊：Nanomaterials 作者：Jun-Jie Li; Yong-Liang Li; Na Zhou; Wen-Juan Xiong; Guilei Wang; et al 出版日期：2020-04-01
求助人	Mr_龙在天涯在 2026-10-13 16:07:01 发布自上海，悬赏 10 积分
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