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Gate‐Coupling‐Enabled Robust Hysteresis for Nonvolatile Memory and Programmable Rectifier in Van der Waals Ferroelectric Heterojunctions |
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期刊:Advanced Materials 作者:Wenhao Huang; Feng Wang; Lei Yin; Ruiqing Cheng; Zhenxing Wang; et al 出版日期:2020-02-20 |
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