Comparison of Displacement Damage in 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Irradiated by 1 MeV Electrons and 3 MeV Protons

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标题	Comparison of Displacement Damage in 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Irradiated by 1 MeV Electrons and 3 MeV Protons
网址	http://dx.doi.org/10.1109/tns.2025.3647685
DOI	10.1109/tns.2025.3647685 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：Xueqiang Yu; Xiaodong Xu; Hao Jiang; Pengfei Wan; Xinrui Xu; et al 出版日期：2026-01-01
求助人	Yummerwei 在 2026-10-17 14:37:33 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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