Cross‐Substitution Promoted Ultrawide Bandgap up to 4.5 eV in a 2D Semiconductor: Gallium Thiophosphate

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标题	Cross‐Substitution Promoted Ultrawide Bandgap up to 4.5 eV in a 2D Semiconductor: Gallium Thiophosphate 相关领域材料科学半导体响应度光电探测器紫外线带隙光电子学单层异质结纳米技术
网址	https://doi.org/10.1002/adma.202008761
DOI	10.1002/adma.202008761 doi
其它	期刊：Advanced Materials 作者：Yong Yan; Juehan Yang; Juan Du; Xiaomei Zhang; Yue‐Yang Liu; et al 出版日期：2021
求助人	Craft 在 2021-06-08 15:35:30 发布，悬赏 20 积分
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