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 Influence of growth rate on homoepitaxial growth of AlN at 1450 °C by hydride vapor phase epitaxy 相关领域
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期刊：Applied Physics Express 作者：Yoshinao KUMAGAI; Ken Goto; Toru Nagashima; Reo Yamamoto; Michal Bockowski; et al 出版日期：2022-10-11 |
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