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 Recent developments in materials, architectures and processing of AlGaN/GaN HEMTs for future RF and power electronic applications: A critical review 相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
光电子学
跨导
工程物理
晶体管
可靠性（半导体）
氮化镓
电气工程
功率半导体器件
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| 其它 |
期刊：Micro and nanostructures 作者：B. Mounika; J. Ajayan; Sandip Bhattacharya; D. Nirmal 出版日期：2022-06-01 |
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