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标题
[高分] GE SiC Semiconductor Device Operation at Extreme Temperatures
相关领域
材料科学 光电子学 碳化硅 半导体 半导体器件 外延
网址
DOI
10.4071/2380-4491.2021.HiTEC.000041 doi
其它 期刊:Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT)
作者:David Esler
出版日期:2021
求助人
陈东东 在 2022-05-30 13:48:40 发布,悬赏 80 积分
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