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 Analysis of deep level defects in nitrogen post-deposition annealed Ga2O3/SiC hetero-structured Schottky diodes grown by mist-CVD 氮气沉积后退火Ga2O3/SiC异质结构肖特基二极管的深能级缺陷分析
相关领域
材料科学
肖特基二极管
氮气
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沉积（地质）
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期刊：Applied Physics A 作者：Tae-Hee Lee; Se-Rim Park; Ji‐Soo Choi; Seunghwan Chung; Min-Yeong Kim; et al 出版日期：2024-09-10 |
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