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Gain and Power Enhancement With Coupled Technique for a Distributed Power Amplifier in 0.25- μm GaN HEMT Technology 相关领域
高电子迁移率晶体管
放大器
光电子学
功率(物理)
电气工程
材料科学
射频功率放大器
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晶体管
电压
CMOS芯片
量子力学
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期刊:IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 作者:Yan Xu; Jingyuan Zhang; Guansheng Lv; Wenhua Chen; Yong‐Xin Guo 出版日期:2024-06-17 |
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