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标题
Pulsed sputtering selective epitaxial formation of highly degenerate n-type GaN ohmic contacts for GaN HEMT applications
用于GaN HEMT应用的高简并n型GaN欧姆接触的脉冲溅射选择性外延形成
相关领域
欧姆接触 高电子迁移率晶体管 材料科学 光电子学 外延 电阻率和电导率 晶体管 溅射 薄脆饼 接触电阻 图层（电子） 纳米技术 薄膜 电气工程 电压 工程类
网址
https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad16ae
AI链接 doaj.orgdoi.org
DOI
10.35848/1882-0786/ad16ae doi
其它 期刊：Applied Physics Express
作者：Ryota Maeda; Kohei Ueno; Hiroshi Fujioka
出版日期：2023-12-18
求助人
DDDDDU 在 2025-12-03 20:31:24 发布自重庆，悬赏 10 积分
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