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 An improved composite JTE technique with increased tolerance to interface charges for 2.8 kV β -Ga2O3 Schottky rectifier 2.8 kV β-Ga2O3肖特基整流器界面电荷容限的改进复合JTE技术
相关领域
材料科学
肖特基二极管
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光电子学
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领域（数学）
肖特基效应
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Weibing Hao; Lequan Wang; Guangwei Xu; Zhao Han; Qiuyan Li; et al 出版日期：2025-11-17 |
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