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 Persistent charge storage and memory operation of top-gate transistors solely based on two-dimensional molybdenum disulfide 仅基于二维二硫化钼的顶栅晶体管的持久电荷存储和存储操作
相关领域
材料科学
二硫化钼
晶体管
光电子学
电荷（物理）
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金属浇口
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期刊：Nanotechnology 作者：Po‐Cheng Tsai; Coung-Ru Yan; Shoou-Jinn Chang; Shu‐Wei Chang; Shih‐Yen Lin 出版日期：2023-04-26 |
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