| 标题 |
Grown-in defects in silicon crystals 硅晶体中的生长缺陷
相关领域
空隙(复合材料)
硅
空位缺陷
增长率
材料科学
晶体生长
晶体缺陷
结晶学
热力学
化学
凝聚态物理
复合材料
冶金
几何学
物理
数学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of Crystal Growth 作者:Kentaro Nakamura; Toshiaki Saishoji; Junsuke Tomioka 出版日期:2002-04-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|